Prova sfide per dispositivi a semiconduttore di terza generazione

Non è esagerato affermare che i dispositivi a semiconduttore di terza generazione hanno portato l'innovazione nel settore dell'alimentazione. Sulla base della loro alta velocità, dimensioni ridotte e basso consumo energetico, sono sempre più ampiamente utilizzati nelle industrie di elettronica di consumo e elettronica di energia. Diamo prima un'occhiata alle differenze tra i dispositivi di potere di diverse tecnologie. La figura seguente mostra che i tradizionali IGBT o MOSFET a base di SI sono distribuiti nell'intervallo ad alta tensione e a bassa velocità o nell'intervallo a bassa tensione e ad alta velocità. La tradizionale tecnologia di rilevamento sul mercato può coprire i requisiti di test per la caratterizzazione del dispositivo. Tuttavia, la tecnologia del dispositivo a semiconduttore di terza generazione SIC o GAN tende a maturare, a causa della sua alta velocità, alta tensione di resistenza, resistenza ad alta temperatura, dimensioni ridotte e basso consumo di energia, è sempre più utilizzato nei prodotti di conversione di potenza , che è diverso dalle prestazioni tradizionali. Tuttavia, i dispositivi di alimentazione basati su Si hanno ampliato notevolmente l'intervallo di distribuzione, coprendo aree ad alta tensione e ad alta velocità che non sono mai apparse prima, il che rappresenta una sfida molto grave per gli strumenti di test dei dispositivi.
Quest'anno, i dispositivi SIC e GAN saranno sempre più ampiamente utilizzati nei campi dell'alimentazione della comunicazione 5G, nella nuova guida per l'inverter energetico e sui veicoli elettrici nella nuova infrastruttura rilasciata dal paese, che offre maggiori opportunità agli ingegneri di progettare prodotti convertitori di energia . Molte opportunità hanno anche portato nuove sfide di progettazione.
Al momento, molti ingegneri utilizzano caratteristiche di commutazione a basso lato per valutare i dispositivi e progettare i circuiti di guida nella progettazione del circuito del ponte. Poiché esiste un riferimento a "terra", sembra che fino a quando la larghezza di banda e la gamma di tensione siano soddisfatte, è sufficiente, ma in realtà molte persone lo ignorano. In effetti, l'unità e le caratteristiche del lato ad alta tensione e il lato a bassa tensione non sono uguali e il test del tubo superiore non può essere calcolato dal test del tubo verso il basso, ma perché non ingegneri tevano davvero l'alto -Il Vgs VGS? Principalmente perché attualmente non esiste una sonda e un metodo adeguati per testare il segnale accurato di azionamento laterale ad alta tensione, sarà influenzato dalla limitazione della larghezza di banda, dalla limitazione del rapporto di rifiuto della modalità comune, dall'interferenza del segnale, ecc., Quindi può essere stimato solo mediante speculazione o simulazione, che è molto grande. In una certa misura, l'incertezza della progettazione del prodotto è aumentata e ci sono persino grandi rischi per la sicurezza.
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